使用石英晶體微天平研究薄膜生長(zhǎng)

引言

Gamry公司的eQCM 10M電化學(xué)石英晶體微天平的一個(gè)用途就是研究薄膜的生長(zhǎng)。下面舉一個(gè)關(guān)于薄膜生長(zhǎng)影響電極電化學(xué)性能的例子。

固體接觸（SC）離子選擇性電極（ISEs）是常用作測(cè)量醫(yī)學(xué)及環(huán)境應(yīng)用中離子濃度的一種傳感器。SC ISEs的電化學(xué)特性取決于在電子傳導(dǎo)基底（例如，金，鉑）和離子傳導(dǎo)膜之間充當(dāng)離子-電子換能器的SC（例如，導(dǎo)電聚合物）的性質(zhì)。其平衡時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)電勢(shì)等電化學(xué)特性也依賴(lài)于電子傳導(dǎo)基底本身¹,²。為了追蹤構(gòu)建在金或鉑基底上的SC ISEs的電化學(xué)性能差異的根源，PEDOT（PSS）⁴

實(shí)驗(yàn)方法

一個(gè)10 MHz金包覆的AT切型石英晶體（面積為0.205 cm²）用甲醇和去離子水進(jìn)行清洗，然后用N₂進(jìn)行干燥。選擇一部分晶體通過(guò)電沉積的方法在表面鍍鉑，制成鉑包覆石英晶體。另外還用到10 MHz鉑包覆的AT切型石英晶體（Gamry零件編號(hào)是971-00010）。金或鉑包覆的晶體被安在由晶體制造商⁵制造的PTFE電解池中，鉑絲作對(duì)電極，Ag|AgCl|0.1M KCl作參比電極。支架中盛滿(mǎn)0.015 mol/dm³ EDOT和0.1 mol/dm³ NaPSS的水溶液。PEDOT（PSS）在使用我們的Reference^TM 600電化學(xué)工作站施加714 s恒電流41 μA（0.2 mA/cm²）的條件下進(jìn)行沉積，頻率通過(guò)用我們的eQCM 10M和Resonator^TM軟件進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

圖1 在諧振石英晶體（每一個(gè)基底都是N = 5）表面的鉑（綠色）和金（藍(lán)色）電極上恒電流沉積PEDOT（PSS）薄膜的
（a）整個(gè)714 s和（b）開(kāi)始的60 s過(guò)程中的頻率衰減記錄。圖（b）中的黑色橢圓旨在歸類(lèi)鉑和金的暫態(tài)現(xiàn)象，也強(qiáng)調(diào)了兩者間再現(xiàn)性的不同⁴。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

圖1顯示了在金和鉑包覆的石英晶體表面進(jìn)行PEDOT（PSS）電化學(xué)沉積的過(guò)程的頻率變化，（a）記錄的是整個(gè)聚合過(guò)程，（b）是開(kāi)始的60 s。

為了突出PEDOT（PSS）在金和鉑上聚合的差異性，圖2繪制了兩者在沉積過(guò)程中頻率變化的速率。

圖2 在石英晶體⁴表面的（a）金和（b）鉑電極上開(kāi)始60s PEDOT（PSS）聚合過(guò)程中的頻率速度變化。

結(jié)論

該應(yīng)用報(bào)告強(qiáng)調(diào)了eQCM*的優(yōu)勢(shì)。使用該技術(shù)能夠清晰地觀察到PEDOT（PSS）電化學(xué)聚合過(guò)程在金和鉑上沉積速率的差異性。

致謝

我們感謝田納西州孟菲斯大學(xué)生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)院的Jennifer M. Jarvis和Erno Lindner為Gamry公司提供該信息。我們也感謝Electroanalysis雜志準(zhǔn)許我們引用實(shí)驗(yàn)結(jié)果相關(guān)的圖片。

¹ M. Guzinski, et al., Anal. Chem. 2015, 87, 6654-6659.

² M. Guzinski, et al., Anal. Chem. 2017, 89, 3508-3516.

³ Poly(3, 4-ethylenedioxythiophene) polystyrenesulfonate.

⁴ J.M. Jarvis, M. Guzinski, F. Perez, B.D. Pendley, E. Lindner, Electroanalysis2017, 29.

⁵ International Crystal Manufacturing, 10 N. Lee Ave., Oklahoma City, OK 73102, USA.